電阻測(cè)量?jī)xEC-80P在多晶硅納米薄膜檢測(cè)中的運(yùn)用
電阻測(cè)量?jī)xEC-80P在多晶硅納米薄膜檢測(cè)中的運(yùn)用
不同摻雜濃度的多晶硅納米薄膜,研究了摻雜濃度對(duì)多晶硅納米薄膜壓阻和電學(xué)修正特性的影響。利用低壓化學(xué)氣相淀積法制備了不同摻雜濃度的多晶硅納米薄膜,摻雜濃度分別為1.0×1020 cm-3、2.0×1020 cm-3、4.1×1020 cm-3和7.1×1020 cm-3。利用應(yīng)變系數(shù)測(cè)量裝置對(duì)不同摻雜濃度多晶硅納米薄膜的應(yīng)變系數(shù)進(jìn)行了測(cè)量;利用恒流源和萬(wàn)用表測(cè)量不同摻雜濃度多晶硅納米薄膜的電學(xué)修正特性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:多晶硅納米薄膜的應(yīng)變系數(shù)與摻雜濃度有關(guān),應(yīng)變系數(shù)范圍:33.38～38.41;利用電學(xué)方法能夠修正多晶硅納米薄膜的電阻,最大修正范圍可達(dá)15.4%。多晶硅納米薄膜具有較高的應(yīng)變系數(shù),適用于制作壓阻式傳感器;電學(xué)修正可用來(lái)調(diào)整多晶硅納米薄膜的電阻,進(jìn)而降低傳感器的失調(diào)。
日本napson便攜式導(dǎo)電薄膜無(wú)損（渦流法）電阻測(cè)量?jī)xEC-80P
產(chǎn)品特點(diǎn)
只需觸摸手持式探頭即可進(jìn)行電阻測(cè)量。
在電阻率/薄層電阻測(cè)量模式之間輕松切換
使用JOG撥盤(pán)輕松設(shè)置測(cè)量條件
連接到連接器的電阻測(cè)量探針是可更換的，因此它支持廣泛的電阻。
（電阻探頭：多可以使用2 + PN判斷探頭）
測(cè)量規(guī)格
測(cè)量目標(biāo)
相關(guān)（硅，多晶硅，碳化硅等）半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料
的新材料/相關(guān)功能性材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)的（金屬，ITO等）
硅基外延離子注入的樣品
化合物與半導(dǎo)體有關(guān)的（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）測(cè)量尺寸
無(wú)論樣品大小和形狀如何均可進(jìn)行測(cè)量（但是，大于20mmφ且表面平坦）
測(cè)量范圍
[電阻率] 1 m至200Ω·cm
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500 um）
[抗熱阻] 10 m至3 kΩ/ sq
（*所有探頭類型的總范圍）*有關(guān)每種探頭類型的測(cè)量范圍，請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（ 0.5至60Ω-cm）
（4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
（5）太陽(yáng)能晶片：5至500Ω/□（0. 2至15Ω-cm）
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